Мақаланы E-mail арқылы жіберу Modelling of insulating potential in ultra-thin (42 Å) silicon oxide film
- Авторлар: Goldman E.I.1, Chucheva G.V.1, Shusharin I.A.1
-
Мекемелер:
- Frayzino branch Kotelnikov Institute of Radio-engineering and Electronics of RAS
- Шығарылым: Том 69, № 3 (2024)
- Беттер: 253-259
- Бөлім: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://kazanmedjournal.ru/0033-8494/article/view/650701
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424030061
- EDN: https://elibrary.ru/JVBQXB
- ID: 650701
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Аннотация
Based on previously conducted measurements of the tunneling current-voltage characteristics of metal-SiO2-Si (MOS) structures, modeling of the insulating potential in an ultra-thin (4.2 nm) silicon oxide film was performed. The potential in the dielectric was defined in the shape of a trapezoid, with the lateral slopes simulating transition layers and the top base representing the bulk of SiO2. The model parameters – the barrier height and the coordinates of the trapezoid's corner points – were calculated to achieve the maximum match between the experimental and theoretical voltage derivatives of the current logarithm. Common features of the insulating potential, similar to those in thinner silicon oxide films (3.7 nm), were identified: the barrier occupies up to half of the nominal volume of the dielectric gap and is shifted towards the gate electrode, with its slope towards the semiconductor substrate being much more gradual compared to the slope adjacent to the gate.
Толық мәтін
Авторлар туралы
E. Goldman
Frayzino branch Kotelnikov Institute of Radio-engineering and Electronics of RAS
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Ресей, Vvedensky Square, 1, Fryazino, Moscow region, 141190
G. Chucheva
Frayzino branch Kotelnikov Institute of Radio-engineering and Electronics of RAS
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Ресей, Vvedensky Square, 1, Fryazino, Moscow region, 141190
I. Shusharin
Frayzino branch Kotelnikov Institute of Radio-engineering and Electronics of RAS
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Ресей, Vvedensky Square, 1, Fryazino, Moscow region, 141190
Әдебиет тізімі
- Zwanenburg F.A., Dzurak A.S., Morello A. et al. // Rev. Mod. Phys. 2013. V. 85. № 3. P. 961.https://doi.org/10.1103/RevModPhys.85.961.
- Красников Г.Я., Горнев Е.С., Матюшкин И.В. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2018. С. 63.
- Черняев М.В., Горохов С.А., Патюков С.И., Резванов А.А. // Электрон. техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2022. С. 31.
- Muller D.A., Sorsch T., Moccio S. et al. // Nature. 1999. V. 399. № 6738. P. 758.https://doi.org/10.1038/21602.
- Vasudevan R., Pilania G., Balachandran P.V. // J. Appl. Phys. 2021. V. 129. P. 070401.https://doi.org/10.1063/5.0043300.
- Тахтамиров Э.Е., Волков В.А. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. № 5. С. 1843.
- Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир, 1985.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988.
- Гольдман Е.И., Левашов С.А., Чучева Г.В. // ФТП. 2019. Т. 53. № 4. С. 481.https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47444.9011.
- Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. // ФТП. 2021. Т. 55. № 1. С. 24.https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50379.9511.
- Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Черняев М.В. // ФТП. 2008. Т. 42. № 1. С. 94.
- Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Шушарин И.А. // ФТП. 2022. Т. 56. № 3. С. 328.https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52119.9756.
- Тихонов А.Н., Арсенин В.А. Методы решения некорректных задач. М: Наука, 1986.
- Гольдман Е.И., Иванов В.А. Адаптивный тихоновский алгоритм построения производных экспериментальных зависимостей. Препринт ИРЭ АН СССР № 22(551). М.: ИРЭ АН СССР, 1990. 24с.
Қосымша файлдар
