Выпуск |
Название |
Файл |
Том 54, № 1 (2025) |
Квантовый транспорт носителей заряда в треугольной яме с учётом поверхностного рассеяния |
 (Rus)
|
Романов Д.Н., Кузнецова И.А.
|
Том 54, № 1 (2025) |
Расчет распределений энергии электронного пучка, поглощенной в ПММА и Si, с использованием различных моделей рассеяния |
 (Rus)
|
Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А.
|
Том 54, № 1 (2025) |
Кинетика экспонирования слоя позитивного фоторезиста на оптически согласованной подложке |
 (Rus)
|
Кудря В.П.
|
Том 53, № 6 (2024) |
Моделирование структурых свойств и явления переноса в легированных многокомпонентных 2D полупроводниках |
 (Rus)
|
Асадов C.М., Мустафаева С.Н., Маммадов А.Н., Лукичев В.Ф.
|
Том 53, № 5 (2024) |
Механизмы транспорта и полевой эмиссии электронов в 2D некристаллических углеродных гетероструктурах с квантовым барьером |
 (Rus)
|
Красников Г.Я., Бокарев В.П., Теплов Г.С., Яфаров Р.К.
|
Том 53, № 5 (2024) |
Математическое моделирование системы жидкостного охлаждения микропроцессора |
 (Rus)
|
Андреев А.И., Семенов А.Е.
|
Том 53, № 5 (2024) |
Согласование параметров термоэлектрической системы охлаждения теплонагруженных элементов электроники |
 (Rus)
|
Васильев Е.Н.
|
Том 53, № 5 (2024) |
Исследование способов синтеза схем встроенного контроля на основе логической коррекции сигналов с применением равномерных разделимых кодов |
 (Rus)
|
Ефанов Д.В., Елина Е.И.
|
Том 53, № 4 (2024) |
Аппроксимация спектра поглощения фосфида индия в контексте моделирования процесса очувствления |
 (Rus)
|
Макаренко Ф.В., Зольников В.К., Заревич А.И., Заленская Н.Ю., Полуэктов А.В.
|
Том 53, № 3 (2024) |
Тепловое моделирование и оптимизация топологии GaN интегральной схемы полумоста с драйвером управления и силовыми транзисторами |
 (Rus)
|
Кагадей В.А., Кодорова И.Ю., Полынцев Е.С.
|
Том 53, № 3 (2024) |
Моделирование кремниевых полевых конических GAA-нанотранзисторов со стековым SiO2/HfO2 подзатворным диэлектриком |
 (Rus)
|
Масальский Н.В.
|
Том 53, № 3 (2024) |
Кинетика электромиграционного массопереноса в интерфейсных элементах микро- и наноэлектроники в зависимости от прочности тонкопленочных соединений |
 (Rus)
|
Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е.
|
Том 53, № 2 (2024) |
Моделирование диффузии атомов в многокомпонентных полупроводниках в неупорядоченном состоянии |
 (Rus)
|
Асадов С.М.
|
Том 53, № 2 (2024) |
Применение метода конечных элементов для расчета параметров поверхностных акустических волн и устройств на их основе |
 (Rus)
|
Койгеров А.С.
|
Том 53, № 2 (2024) |
Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах |
 (Rus)
|
Чумаков А.И.
|
Том 53, № 1 (2024) |
Моделирование электронных свойств М-легированных суперъячеек Li4Ti5O12—М (М = Zr, Nb) с моноклинной структурой для литий-ионных аккумуляторов |
 (Rus)
|
Асадов М.М., Маммадова С.О., Мустафаева С.Н., Гусейнова С.С., Лукичев В.Ф.
|
Том 53, № 1 (2024) |
Моделирование физико-химических и электронных свойств литийсодержащего 4Н-SiC и бинарных фаз системы Si–C–Li |
 (Rus)
|
Асадов М.М., Гусейнова С.С., Мустафаева С.Н., Маммадова С.О., Лукичев В.Ф.
|
Том 52, № 6 (2023) |
Моделирование вертикального баллистического квантово-барьерного полевого транзистора на основе нелегированной AlxGa1 – xAs квантовой нанопроволоки |
 (Rus)
|
Поздняков Д.В., Борздов А.В., Борздов В.М.
|
Том 52, № 6 (2023) |
Расчет рабочих характеристик МЭМС‑переключателя c “плавающим” электродом |
 (Rus)
|
Морозов М.О., Уваров И.В.
|
Том 52, № 5 (2023) |
Моделирование влияния решеточных дефектов на работу разделения соединенных материалов |
 (Rus)
|
Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е.
|
Том 52, № 5 (2023) |
Компьютерное исследование влияния неоднородностей высокоомного слоя на резистивные переключения в структуре на основе микрокристалла селенида висмута |
 (Rus)
|
Сироткин В.В.
|
Том 52, № 4 (2023) |
Моделирование кремниевых полевых с полностью охватывающим затвором нанотранзисторов с высоким k подзатворного диэлектрика |
 (Rus)
|
Масальский Н.В.
|
Том 52, № 4 (2023) |
Влияние граничных условий на квантовый магнетотранспорт в тонкой пленке |
 (Rus)
|
Кузнецова И.А., Савенко О.В., Романов Д.Н.
|
Том 52, № 3 (2023) |
Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора |
 (Rus)
|
Цунваза Д., Рыжук Р.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И., Клоков В.А.
|
Том 52, № 3 (2023) |
Моделирование адсорбции и диффузии атомов лития на дефектном графене для Li-ионной батареи |
 (Rus)
|
Асадов М.М., Маммадова С.О., Гусейнова С.С., Мустафаева С.Н., Лукичев В.Ф.
|
1 - 25 из 25 результатов |
|