СПЕКТРЫ ИЗЛУЧЕНИЯ И ОЦЕНКА КАЧЕСТВА МОЩНОГО ЛАЗЕРНОГО ДИОДА ПРИ ВЫХОДЕ НА РАБОЧИЙ РЕЖИМ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Предложен метод оценки качества гетероструктуры мощного лазерного диода 200 мВт на основе измерений спектров интенсивности излучения в надпороговом режиме генерации. В основе метода лежит фиксация и анализ групп мод генерации, относящихся к пространственным каналам излучения. Измерения спектров проводятся при разных токах накачки, которые ниже штатного, в течение малого (не более 30 мин) интервала времени.

Об авторах

В. В Близнюк

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «МЭИ»

Email: 40595141@mail.ru
Москва, Россия

В. А Паршин

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «МЭИ»

Москва, Россия

А. Г Ржанов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова»

физический факультет Москва, Россия

О. И Семенова

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «МЭИ»

Москва, Россия

А. Е Тарасов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «МЭИ»

Москва, Россия

Н. А Хлынцев

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «МЭИ»

Москва, Россия

Список литературы

  1. Жуков А.Е. Физика и технология полупроводниковых наноструктур. СПб.: Элмор, 2007. 304 с.
  2. Кейси Л., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981. 299 с.
  3. Мифтахундингов Д.Р., Богатов А.П., Дракин А.Е. // Квант. электрон. 2010. № 7. С. 583; Mifakhtutdinov D.R., Bogatov A.P., Drakin A.E. // Quantum Electron. 2010. V. 40. No. 7. P. 583.
  4. Воробьев Л.Е., Софронов А., Фирсов Д. и др. // Фотоникс. 2012. Т. 31. № 1. С. 20.
  5. Близнюк В.В., Коваль О.Н., Паршин В.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2018. Т. 82. № 11. С. 1504; Bliznyuk V.V., Koval O.I., Parshin V.A. et al. // Bull. UNKs. Acad. Sci. Phys. 2018. V. 82. No. 11. P. 1367.
  6. Сидоров В.Г., Шмайн Н.П. // Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки. 2013. № 2(170). С. 71.
  7. Лешко А.Ю., Люпецкий А.В., Пахтин Н.А. и др. // ФТП. 2002. Т. 36. № 12. С. 1393. Leshko A.Yu., Lyutetskiy A.V., Pikhlin N.A. et al. // Semiconductors. 2002. V. 36. No. 12. P. 1393.
  8. Близнюк В.В., Коваль О.Н., Паршин В.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 2. С. 225; Bliznyuk V.V., Koval O.I., Parshin V.A. et al. // Bull. UNKs. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 2. P. 173.
  9. Близнюк В.В., Паршин В.А., Ржанов А.Г. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 2. С. 255; Bliznyuk V.V., Parshin V.A., Rzhanov A.G. et al. // Bull. UNKs. Acad. Sci. Phys. 2021. V. 85. No. 2. P. 184.
  10. Близнюк В.В., Паршин В.А., Ржанов А.Г. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 11. С. 1598; Bliznyuk V.V., Parshin V.A., Rzhanov A.G. et al. // Bull. UNKs. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 11. P. 1324.
  11. Близнюк В.В., Паршин В.А., Ржанов А.Г. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 7. С. 1008; Bliznyuk V.V., Parshin V.A., Rzhanov A.G. et al. // Bull. UNKs. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 7. P. 837.
  12. Близнюк В.В., Паршин В.А., Ржанов А.Г. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 11. С. 1598; Bliznyuk V.V., Parshin V.A., Rzhanov A.G. et al. // Bull. UNKs. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 11. P. 1324.
  13. Близнюк В.В., Паршин В.А., Ржанов А.Г. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2024. Т. 88. № 1. С. 29; Bliznyuk V.V., Parshin V.A., Rzhanov A.G. et al. // Bull. UNKs. Acad. Sci. Phys. 2024. V. 88. No. 1. P. 21.
  14. Близнюк В.В., Паршин В.А., Ржанов А.Г. и др. // Сб. тезисов ФЭКС/1WQO-2023. (Светлогорск, 2023). С. 174.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025