Детекторы и излучатели фотонов для систем квантовой связи и квантовых стандартов частоты

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлен краткий обзор результатов, полученных в Институте физики полупроводников СО РАН, в области разработки детекторов и излучателей фотонов, перспективных для использования в системах квантовой криптографии и миниатюрных квантовых стандартах частоты на основе эффекта когерентного пленения населенностей.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

В. В. Преображенский

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»

Автор, ответственный за переписку.
Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

И. Б. Чистохин

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»

Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

И. И. Рябцев

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»

Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

В. А. Гайслер

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»

Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

А. И. Торопов

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук»

Email: pvv@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск

Список литературы

  1. Wooters W.K., Zurek W.H. // Nature. 1982. V. 299. P. 802.
  2. Рябцев И.И., Третьяков Д.Б., Коляко А.В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 1689; Ryabtsev I.I., Tretyakov D.B., Kolyako A.V. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 12. P. 1493.
  3. Быковский А.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 3. С. 377; Bykovsky A.Y. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V.84. No. 3. P. 289.
  4. Gisin N., Ribordy G., Tittel W., Zbinden H. // Rev. Mod. Phys. 2002. V. 74. No. 1. P. 145.
  5. Gol’tsman G.N., Okunev O.V., Chulkova G.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 705.
  6. Bouwmeester D., Ekert A.K., Zeilinger A. The physics of quantum information. Berlin: Springer, 2000. 314 p.
  7. Walls D.F., Milburn G.J. Quantum Optics. Berlin: Springer-Verlag, 2008. 437 p.
  8. Michler P. Single semiconductor quantum dots. Berlin: Springer-Verlag, 2009. 389 p.
  9. Michler P. Single quantum dots, fundamentals, applications and new concepts. Berlin: Springer-Verlag, 2003. 347 p.
  10. Wang Z.M. Self-assembled quantum dots. N.Y.: Springer Science+Business Media, 2008. 463 p.
  11. Michalzik R. VCSELs: fundamentals, technology and applications of vertical-cavity surface-emitting lasers. Berlin: Springer-Verlag, 2013. 558 p.
  12. Wilsmen C.W., Temkin H., Coldren L. Vertical-cavity surface-emitting lasers: design, fabrication, characterization and application. Cambridge University Press, 1999. 455 p.
  13. Cheng J., Dutta N.K. Vertical-cavity surface-emitting lasers: technology and applications. Amsterdam: Gordon and Breach Science Publishers, 2000. 323 p.
  14. Li H.E., Iga K. Vertical-cavity surface-emitting lasers devices. Berlin: Springer Verlag, 2002. 386 p.
  15. Kitching J. // Appl. Phys. Rev. 2018. V. 5. Art. No. 031302.
  16. Vanier J. // Appl. Phys. B. 2005. V. 81. No. 4. P. 421.
  17. Knappe S., Schwindt P.D.D., Shah V. et al. // Opt. Express. 2005. V. 13. No. 4. P. 1249.
  18. Gruet F., Al-Samaneh A., Kroemer E. et al. // Opt. Express. 2013. V. 21. No. 5. P. 5781.
  19. Tan B., Tian Y., Lin H. et al. // Optics Lett. 2015. V. 40. No. 16. P. 3703.
  20. Kroemer E., Rutkowski J., Maurice V. et al. // Appl. Optics. 2016. V. 55. No. 31. P. 8839.
  21. Скворцов М.Н., Игнатович С.М., Вишняков В.И. и др. // Квант. электрон. 2020. Т. 50. № 6. С. 576; Skvortsov M.N., Ignatovich S.M., Vishnyakov V.I. et al. // Quantum. Electron. 2020. V. 50. No. 6. P. 576.
  22. Петрушков М.О., Путято М.А., Емельянов Е.А. и др. Способ легирования цинком подложек или слоев фосфида индия. Патент РФ № 2686523, кл. H01L 21/223 (2006.01). 2019.
  23. Чистохин И.Б., Путято М.А., Преображенский В.В. и др. Лавинный фотодиод и способ его изготовления. Патент № RU2769749, кл. H01L 31/107 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), B82Y20/00 (2011.01), B82Y40/00 (2011.01) 2022.
  24. http://www.micro-photon-devices.com
  25. Гайслер В.А., Деребезов И.А., Гайслер А.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 105. № 2. С. 93; Gaisler A.V., Derebezov I. A., Gaisler V. A. et al. // JETP Lett. 2017. V. 105. No. 2. P. 103.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Конструкция разработанного ОЛФД.

Скачать (36KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Внешний вид чипа ОЛФД, слева рабочая площадка, справа контактная площадка (а), модуль ОЛФД (б), темновые вольтамперные характеристики образцов ОЛФД (в), зависимость темновой частоты счета DCR от величины перенапряжения Vb (г).

Скачать (39KB)
Метаданные
4. Рис. 3. АСМ – топограмма структуры с Al0.1In0.9As КТ (а), спектральный диапазон излучения AlxIn1–xAs КТ различного состава при T = 295 K (б), cпектр микролюминесценции одиночной Al0.2In0.8As КТ при T = 10 K (в), зависимость g2(t), демонстрирующая субпуассоноский тип статистики излучения КТ (г).

Скачать (36KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Исходная лазерная структура, выращенная методом МЛЭ, данные сканирующей электронной микроскопии (a), микрофотография лазерного чипа 300х300 мкм (б), ватт-амперная характеристика ЛВР (в), спектр излучения лазера (г), зависимости генерационной длины волны ЛВР от температуры и тока накачки (д).

Скачать (63KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024