Структура пленок алюминия для создания туннельных переходов

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Проведен цикл исследований структуры пленок алюминия, напыленных на монокристаллические подложки кремния в разных температурных режимах. Микроскопом атомных сил исследована шероховатость и размер зерна пленок зародышей толщиной 20 нм, напыленных при повышенных температурах, а также допыленных поверх слоя зародыша при комнатной температуре до толщины 150 нм. Измерен профиль пленок в электронном микроскопе. Найдено, что пленки на горячем подслое оказываются более гладкими, более жесткими (менее рыхлыми) и позволяют рассчитывать на создание переходов сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник и сверхпроводник–изолятор–нормальный металл соответственно с более высокой плотностью тока и меньшей емкостью.

Об авторах

М. В. Стрелков

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7; Российская Федерация, 141701, Московской обл., Долгопрудный, Институтский пер., 9

А. М. Чекушкин

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7

А. А. Ломов

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 117218, Москва, Нахимовский просп. 36, корп. 1

С. В. Краевский

Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича

Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 119121, Москва, ул. Погодинская, 10, стр. 8

М. Ю. Фоминский

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7

М. А. Тарасов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: strelkov.mv@phystech.edu
Российская Федерация, 125009, Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7

Список литературы

  1. Rodionov I., Baburin A., Gabidullin A., et al. // Sci. Rep. 2019. V. 9. Article No. 12232.
  2. Greibe T., Stenberg M., Wilson C. et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. № 9. Article No. 097001.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (461KB)
3.

4.

Скачать (588KB)
5.

Скачать (173KB)

© М.В. Стрелков, А.М. Чекушкин, А.А. Ломов, С.В. Краевский, М.Ю. Фоминский, М.А. Тарасов, 2023