О полосе частот поляризаторов на основе слоистых периодических диэлектрических структур
- Авторы: Буй В.Ч.1, Калошин В.А.2, Фролова Е.В.2
-
Учреждения:
- Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
- Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
- Выпуск: Том 69, № 7 (2024)
- Страницы: 632-637
- Раздел: ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН
- URL: https://kazanmedjournal.ru/0033-8494/article/view/681459
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424070043
- EDN: https://elibrary.ru/HZCXUG
- ID: 681459
Цитировать
Аннотация
Путем численного решения дисперсионных уравнений и численного моделирования с использованием метода конечных элементов с опцией «eigenmode» и канала Флоке в программной среде Ansys HFSS проведено исследование и оптимизация параметров поляризатора на основе слоистой периодической диэлектрической среды (диэлектрик–воздух). Найдены оптимальные значения параметров (диэлектрической проницаемости материала, отношения толщины диэлектрических слоев к периоду структуры и толщины поляризатора), которые обеспечивают величину относительной полосы частот по уровню коэффициента эллиптичности –3 дБ более 100%.
Ключевые слова
Полный текст

Об авторах
Ван Чунг Буй
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Email: vak@cplire.ru
Россия, Институтский пер., 9, Долгопрудный Московской обл., 141700
В. А. Калошин
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: vak@cplire.ru
Россия, ул. Моховая, 11, стр.7, Москва, 125007
Е. В. Фролова
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: vak@cplire.ru
Россия, ул. Моховая, 11, стр.7, Москва, 125007
Список литературы
- Wang K.X., Wong H.A // 2017 IEEE Int. Workshop on Electromagnetics: Aрplications and Student Innovation Competition. London. 30 May — 01 Jun. N.Y.: IEEE, 2017. Р. 138.
- Lin C., Ge Y., Bird T. S., Liu K. // IEEE Antennas and Wireless Propagation Lett. 2018. V. 17. № 3. P. 480.
- Wang X., Wong W. // IEEE Trans. 2018. V. AP-66. № 8. P. 4303.
- Ding Ch., Luk K.-M. // IEEE Trans. 2019. V. AP-67. № 10. P. 6645.
- Gao J., Zhang Y, Sun Y., Wu O. // Materials. 2019. V. 12. № 23. Article No. 3857. P. 1.
- Campo M. A., Carluccio G., Blanco D. еt al. // IEEE Trans. 2021. V. AP-69. № 1. P. 43.
- Ding Ch., Luk K.-M. // IEEE Trans. 2021. V. AP-69. № 12. P. 8494.
- Ding Ch., Luk K.-M. // IEEE Trans. 2022. V. АР-70. № 4. P. 2450.
- Ding Ch., Zhou Y, Luk K.-M. // 2022 IEEE MTT-S Intern. Microwave Workshop Series on Advanced Materials and Processes for RF and THz Applications (IMWS-AMP). IEEE. 2022. P. 1.
- Рытов С.М. // ЖЭТФ. 1955. Т. 29. С. 605. 11. Wang H.B., Cheng Y. J., Chen Z. N. // IEEE Trans. 2020. V. AP-68. № 2. P. 1186.
- Joyal M.-A., Laurin J.-J. // IEEE Trans. 2012. V. AP-60. № 6. P. 3007.
Дополнительные файлы
