ПЛАЗМОННОЕ ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ТЕРАГЕРЦЕВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР InxGa1−xN/GaN С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Плазмонное детектирование терагерцевого излучения проводится с использованием светодиодных нитрид-галлиевых гетероструктур InxGa1−xN/GaN с множественными квантовыми ямами. В качестве структуры, связывающей электрическое поле плазмона с полем падающего терагерцевого излучения применяются решетчатые затворы с электродами из Ti/Au. Исследуются образцы гетероструктур с периодами затвора 1.6 и 1.0 мкм. Генерация и детектирование коллективных плазмонных колебаний в двумерной электронной системе осуществляются методом терагерцевой спектроскопии с временным разрешением, использующим фотопроводящие антенны на основе GaN. Получены частотные спектры мощности и фазового сдвига терагерцевого излучения в диапазоне температур от 90 до 170 К. Наблюдаемое синее смещение фундаментальной плазмонной моды при уменьшении периода затвора объясняется изменением волнового вектора плазмона.

Об авторах

Е. Р Бурмистров

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова; Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»; Национальный исследовательский Московский государственный строительный университет

Email: eugeni.conovaloff@yandex.ru
Москва, Россия; Москва, Россия; Москва, Россия

Л. П Авакянц

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Email: avakyants@physics.msu.ru
Москва, Россия

Список литературы

  1. V. V. Popov, J. Infrared Millim. Terahertz Waves 32, 1178 (2011).
  2. F. Schuster, D. Coquillat, H. Videlier et al., Opt. Express 19, 7827 (2011).
  3. D. Pashnev, T. Kaplas, V. Korotyeyev et al., Appl. Phys. Lett. 117, 051105 (2020).
  4. K. A. Motovilov, Z. V. Gagkaeva, L. S. Zhukova et al., 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz) (2015), p. 1.
  5. V. Jakˇstas, I. Grigelionis, V. Janonis et al., Appl. Phys. Lett. 110, 202101 (2017).
  6. V. A. Shalygin, M. D. Moldavskaya, M. Ya. Vinnichenko et al., J. Appl. Phys. 126, 183104 (2019).
  7. M. J. Manfra, K. W. Baldwin, A. M. Sergent et al., Appl. Phys. Lett. 85, 1722 (2004).
  8. E. Klimov, A. Klochkov, P. Solyankin et al., Int. J. Mod. Phys. B 38, 2450378 (2024).
  9. K. Kuznetsov, A. Klochkov, A. Leontyev et al., Electronics 9, 495 (2020).
  10. G. Franssen, P. Perlin, and T. Suski, Phys. Rev. B 69, 045310 (2004).
  11. A. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков и др., ФТП 54, 420 (2020).
  12. Е. Р. Бурмистров, Л. П. Авакянц, ЖЭТФ 163, 66 (2023).
  13. O. Imafuji, B. P. Singh, Y. Hirose et al., Appl. Phys. Lett. 91, 071112 (2007).
  14. P. Meng, X. Zhao, X. Yang et al., J. Europ. Ceramic Soc. 39, 4824 (2019).
  15. T. Tajima, X. Q. Yan, and T. Ebisuzaki, Rev. Mod. Plasma Phys. 4, 1 (2020).
  16. A. J. Gonsalves, K. Nakamura, J. Daniels et al., Phys. Rev. Lett. 122, 084801 (2019).
  17. F. Stern, Phys. Rev. Lett. 18, 546 (1967).
  18. H. O. Condori Quispe, A. Chanana, J. Encomendero et al., J. Appl. Phys. 124, 093101 (2018).
  19. P. Schley, R. Goldhahn, G. Gobsch et al., Phys. Status Solidi B 246, 1177 (2009).
  20. S. J. Allen, D. C. Tsui, and R. A. Logan, Phys. Rev. Lett. 38, 980 (1977).
  21. A. Eljarrat, L. Lopez-Conesa, C. Magen et al., Phys. Chem. Chem. Phys. 18, 23264 (2016).
  22. N. Armakavicius, V. Stanishev, S. Knight et al., Appl. Phys. Lett. 112, 082103 (2018).
  23. G. Dresselhaus, A. F. Kip, and C. Kittel, Phys. Rev. 98, (1955).
  24. T. Hofmann, P. K¨uhne, S. Sch¨oche et al., Appl. Phys. Lett. 101, 192102 (2012).
  25. K. R. Dzhikirba, A. Shuvaev, D. Khudaiberdiev et al., Appl. Phys. Lett. 123, 052104 (2023).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025