Быстрый численный расчет рентгеновской дифракции от кристаллических микросистем

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Разработан метод быстрого численного расчета рентгеновской дифракции в кинематическом приближении от тонких кристаллических микросистем. Скорость вычислений карт интенсивности рассеяния вблизи узла обратной решетки с использованием этого подхода на 3–4 порядка выше, чем скорость расчетов на основе уравнений Такаги–Топена или двумерных рекуррентных соотношений. В рамках полученных решений выполнено численное моделирование картографирования рентгеновской дифракции в обратном пространстве для трех моделей кристаллических чипов микросистем.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

В. И. Пунегов

ФИЦ “Коми научный центр УрО РАН”

Email: vpunegov@dm.komisc.ru

Физико-математический институт

Россия, Сыктывкар

Д. М. Мальков

ФИЦ “Коми научный центр УрО РАН”

Автор, ответственный за переписку.
Email: vpunegov@dm.komisc.ru

Физико-математический институт

Россия, Сыктывкар

Список литературы

  1. Neels A., Bourban G., Shea H. et al. // Proc. Chem. 2009. V. 1. P. 820. https://doi.org/10.1016/j.proche.2009.07.204
  2. Neels A., Dommann A. // Techn. Proc. NSTI-Nanotechnology, 2010. (Conference and Expo, Anaheim, USA, 21–24 June 2010.) V. 2. P. 182.
  3. Schifferle V., Dommann A., Neels A. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2017. V. 18. P. 219. https://doi.org/10.1080/14686996.2017.1282800
  4. Punegov V.I., Pavlov K.M., Karpov A.V., Faleev N.N. // J. Appl. Cryst. 2017. V. 50. P. 1256. https://doi.org/10.1107/S1600576717010123
  5. Punegov V.I., Kolosov S.I. // J. Appl. Cryst. 2022. V. 55. P. 320. https://doi.org/10.1107/S1600576722001686
  6. Punegov V.I., Kolosov S.I., Pavlov K.M. // Acta Cryst. A. 2014. V. 70. P. 64. https://doi.org/10.1107/S2053273313030416
  7. Punegov V.I., Kolosov S.I., Pavlov K.M. // J. Appl. Cryst. 2016. V. 49. P. 1190. https://doi.org/10.1107/S1600576716008396
  8. Takagi S. // Acta Cryst. 1962. V. 15 P. 1311. https://doi.org/10.1107/S0365110X62003473
  9. Taupin D. // Bull. Soc. Fr. Miner. Crist. 1964. V. 87. P. 469.
  10. Stepanov S., Forrest R. // J. Appl. Cryst. 2008. V. 41. P. 958. https://doi.org/10.1107/S0021889808022231

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Схематическое изображение рентгеновской дифракции от чипа МЭМС, состоящего из верхней изогнутой части толщиной Lz1 и нижней совершенной или градиентной области кристалла толщиной Lz2. Ширина падающего и отраженного рентгеновского пучка w, засветка поверхности структуры имеет размер Lx. PSD – позиционно чувствительный детектор.

Скачать (84KB)
3. Рис. 2. Расчетная карта RSM от первой модели чипа МЭМС – изогнутого кристалла Si толщиной 4 мкм. Латеральная ширина кристалла Lx = 135 мкм.

Скачать (180KB)
4. Рис. 3. Расчетная карта RSM от второй модели чипа МЭМС с изогнутой верхней частью толщиной 2 мкм. Нижним слоем является недеформированный кристалл толщиной Lz2 = 2 мкм.

Скачать (109KB)
5. Рис. 4. Расчетная карта RSM от третьей модели чипа МЭМС с изогнутой верхней частью. Нижний слой имеет одномерный градиент деформации по глубине кристалла.

Скачать (122KB)
6. Рис. 5. Латеральные qx-сечения (а) и вертикальные qz-сечения (б) карт RSM от первой (1), второй (2) и третьей (3) моделей чипов МЭМС.

Скачать (137KB)

© Российская академия наук, 2024