Трехмерное моделирование электронного обмена атомной частицы с содержащей дефекты поверхностью
- Авторы: Климов Н.Е.1, Гайнуллин И.К.1
-
Учреждения:
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
- Выпуск: № 1 (2023)
- Страницы: 80-85
- Раздел: Статьи
- URL: https://kazanmedjournal.ru/1028-0960/article/view/664629
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023010120
- EDN: https://elibrary.ru/BLGDKP
- ID: 664629
Цитировать
Аннотация
Изучен электронный обмен атомной частицы (заряженного иона или нейтрального атома) с металлической поверхностью, содержащей дефект в виде атомной ступени. Инструментом исследования является трехмерное компьютерное моделирование. Рассмотрена модельная статическая задача, когда частица закреплена над поверхностью. Получены расчетные данные о зависимости основных параметров перезарядки – энергетического положения и ширины уровня частицы (определяет эффективность электронного обмена) – от расстояния до поверхности и латерального положения частицы.
Об авторах
Н. Е. Климов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: ivan.gainullin@physics.msu.ru
Россия, 119992, Москва
И. К. Гайнуллин
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Автор, ответственный за переписку.
Email: ivan.gainullin@physics.msu.ru
Россия, 119992, Москва
Список литературы
- Martynenko Yu.V. // Sov. Phys. Solid State. 1964. V. 3529. P. 2003.
- Yurasova V.E., Chernysh V.S., Kuvakin M.V., Shelyakin L.B. // JETP Lett. 1975. V. 21. № 3. P. 79.
- Los J., Geerlings J.J.C. // Phys. Rep. 1990. V. 190. P. 133.
- Karaseov P.A., Karabeshkin K.V., Titov A.I., Shilov V.B., Ermolaeva G.M., Maslov V.G., Orlova A.O. // Semiconductors. 2014. V. 48. № 4. P. 446.
- Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Shulga V.I. // J. Clinical Invest. 2016. V. 10. P. 412.
- Zykova E.Y., Khaidarov A.A., Ivanenko I.P., Gainullin I.K. // J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2012. V. 6. P. 877.
- Gainullin I.K. // Surf. Sci. 2019. V. 681. P. 158.
- Gainullin I.K. // Physics-Uspekhi. 2020. V. 63. № 9.
- Gainullin I.K. // Surf. Sci. 2018. V. 677. P. 324.
- Usman E.Yu., Urazgil’din I.F., Borisov A.G., Gauyacq J.P. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 205405.
- Amanbaev E.R., Shestakov D.K., Gainullin I.K. // J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2009. V. 3. P. 865.
- Gainullin I.K. // Phys. Rev. A. 2019. V. 100. P. 032712.
- Gainullin I.K. // Moscow University Phys. Bull. 2019. V. 74. P. 585.
- Obreshkov B., Thumm U. // Phys. Rev. A. 2013. V. 87.
- Winter H. // Phys. Rep. 2002. V. 367. P. 387.
- Cohen J.S., Fiorentini G. // Phys. Rev. A. 1986. V. 33. P. 1590.
- Ermoshin V.A., Kazansky A.K. // Phys. Lett. A. 1996. V. 218. P. 99.
- Gainullin I.K. // Comp. Phys. Commun. 2017. V. 210. P. 72.
- Gainullin I.K., Sonkin M.A. // Comp. Phys. Commun. 2015. V. 188. P. 68.
- Gainullin I.K. // Phys. Rev. A. 2017. V. 95. P. 052705.
- Gainullin I.K., Sonkin M.A. // Phys. Rev. A. 2015. V. 92. P. 022710.
- Jennings P.J., Jones R. O., Weinert M. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. P. 6113.
- Gainullin I.K., Urazgildin I.F. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 205403.
- Amanbaev E.R., Gainullin I.K., Zykova E.Yu., Urazgildin I.F. // Thin Solid Films. 2011. V. 519. P. 4737.
Дополнительные файлы
