Informaçao sobre o Autor
Туруткин, К. В.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 125, Nº 2 (2024) | ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА | Contact potential difference in the absence of current through the sample in the quantum hall effect regime in InGaAs/InAlAs heterostructure |